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      石英晶體微天平

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      石英晶體微天平

      石英晶體微天平

      石英晶體微天平(Quartz Crystal Microbalance,QCM)它是一種非常靈敏的質量檢測儀器,其測量精度可達納克級,比靈敏度在微克級的電子微天平高100倍,理論上可以測到的質量變化相當于單分子層或原子層的幾分之一。石英晶體微天平被廣泛應用于化學、物理、生物、醫學和表面科學等領域中,用以進行氣體、液體的成分分析以及微質量的測量、薄膜厚度及粘彈性結構檢測等。
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      Q-Sense卓越版四通道石英晶體微天平

      Q-Sense卓越版四通道石英晶體微天平

      • 品牌: 芬蘭Q-Sense
      • 型號: Analyzer
      • 產地:瑞典
      • 供應商:佰奧林(上海)貿易有限公司

        QCM-D技術的核心是石英晶體傳感器,它由石英晶體夾在兩片電極中間形成三明治結構。在電極兩端加入一個交流電壓,在傳感器的共振頻率處引發一個小的剪切振動,當交流電壓關閉后,振動呈指數衰減,這個衰減被記錄下來,得到共振頻率(f)和耗散因子(D)兩個參數。 對于薄層硬質薄膜,可以使用Sauerbrey關系和公式,根據傳感器振動計算吸附層的質量。當沉積的薄膜松散和粘性時,能量通過薄膜上的摩擦被消耗,傳感器的振動發生衰減,耗散因子提供了傳感器上吸附的薄膜的結構信息。通過使用多個頻率和耗散因子數據,使用粘彈性模型而非Sauerbrey關系,我們可以計算得到質量(mass)、厚度(thickness)、粘度(viscosity)和彈性(elasticity)。耗散型石英微晶體天平QCM-DAnalyzer作為Q-Sense公司具有耗散因子檢測功能的第二代石英晶體微量天平,可以對多種不同類型表面的分子相互作用和分子吸附進行研究,應用范圍包括蛋白質、脂質、聚電解質、高分子和細胞/細菌等與表面或與已吸附分子層之間的相互作用。Analyzer可以測定非常薄的吸附層的質量,并同步提供如粘彈性等吸附層結構信息。它基于Qsense QCM-D專利技術,非常靈敏和快速,可提供多個頻率和耗散因子數據,用于充分了解在傳感器表面吸附的分子的狀態。**********產品優勢**********●實時追蹤分子運動Qsense-Analyzer可以實時追蹤在芯片表面上發生的分子運動。●測量分子層的質量和厚度憑借著納克級的精度,檢測芯片表面分子層的形成過程變成了可能。●分析分子層的結構性質檢測分子層的剛性和柔性變化。量化表面吸附薄層的粘彈性,剪切模量,粘度和密度。●自由的表面選擇金屬,聚合物,化學改性表面,只要是能在表面鋪展成薄膜的材料,都可以成為我們的定制表面。●QCM-D聯用測試QCM-D儀器提供標準流動池來進行液相實驗。此外電化學樣品池、光學樣品池、濕度樣品池、開放樣品池、橢偏樣品池、高溫樣品池、ALD樣品架等用來進行不同的實驗。這些不同的樣品池同樣可以和其他分析儀器聯用,用以提供更豐富、有效的數據。●四通道傳感器系統專為液相流動實驗設計!四通道聯裝平行試驗模塊并配有精確溫控單元作為輔助。●整體的解決方案, 更易使用完整的系統包括硬件,軟件,動手培訓和技術支持。我們還提供數據分析指導的網絡講座、研討會。●無須標記,原位測試從生物醫藥科學探索,到工業級環境監測,再到清潔用品研發, QCM-D都提供了廣泛有效的應用空間。**********儀器原理**********Q-Sense Analyzer是一種檢測吸附在表面上的分子反應機制的實時分析儀器。當分子層在傳感器表面質量發生變化或者結構發生改變時, Analyzer可以測量分子層的變化。在材料、蛋白質和表面活性劑等領域的研究中,Q-Sense Analyzer設備起到了關鍵作用。從快速儀器入門使用,到高質量數據分析,Q-Sense Analyzer提供了一套完整的解決方案。儀器有四個流動模塊,每一個模塊都配備一個傳感器,可以進行四個平行測試。多種可選模塊,例如電化學QCM-D,可以進行聯用測試。我們的產品提供包括硬件、軟件、技術支持和讓您可以快速開始研究所需的介紹、培訓以及實驗結果解析。Q-Sense Analyzer設備基于極其靈敏和快捷的技術,帶耗散因子檢測的石英晶體微天平(QCM-D)。該設備的核心是傳感器在加載電壓的作用下以特定頻率下振蕩。當傳感器上的質量發生變化時,其振蕩頻率會隨之變化(1)。斷開電路會導致振蕩衰減。衰減速率或者耗散因子與傳感器上的分子層粘彈性有關(2)。通過測定頻率和耗散,QCM-D可以分析吸附在傳感器表面的分子層狀態,包括質量、厚度和結構性質(粘彈性)。**********使用方法********************技術參數**********傳感器數量4個傳感器上方體積~40 μL最小樣品體積~300 μL工作溫度15-65 °C,由軟件控制,精確度±0.02 °C,可提供高溫模塊,量程4~150°C常規流速50-200 μL/min (Analyzer);清洗所有與液體接觸元件均可拆卸,并可在超聲波浴中清洗傳感器晶體5 MHz,直徑14 mm,拋光,AT切割,金電極頻率范圍1-70 MHz (對于5 MHz晶片,從7個頻率到13個泛頻,最高至65 MHz)最大時間分辨率,1個頻率最高達每秒200個數據點液相中常規質量精度與最大質量精度~ 1.8 ng/cm2(18 pg/mm),~ 0.5 ng/cm2(5 pg/mm)液相中常規耗散因子精度與最大耗散因子精度~0.1*10-6,~0.04*10-6液相典型峰間噪音(RMS)~ 0.16 Hz (0.04 Hz)**********具體應用領域如下********** ●生物材料表面分析 ●生物傳感器的研究 ●蛋白質的相互作用 ●膜表面的吸附/解析 ●生物膜表面DNA的雜交 ●酶的降解 ●聚電解質單/多層膜的研究 ●細胞在不同表面的吸附 ●靶向藥物的研究 ●催化、腐蝕等研究 ●高分子溶漲、結構改變、等特性的研究 ●高分子材料的生物相容性等

      石英晶體微天平

      石英晶體微天平

      • 品牌: 美國阿美泰克-普林斯頓
      • 型號: QCM922A
      • 產地:美國
      • 供應商:阿美特克商貿(上海)有限公司

        電化學石英晶體分析儀可分析測試液體的成分、電合成、電沉積、元素的嵌入與脫出、電聚合以及微質量測量等研究課題。QCM922A是QCA922的全新升級產品,可同時通過晶振片頻率和電阻的變化來檢測微小的質量和粘度變化,同樣可測試電導的頻率特征。QCM922A測試頻率高達30MHz,測試靈敏度更高,且測試速度達到10毫秒。應用領域:●  生物聚合物相互作用的表征,如蛋白質●  高分子的形成和分解的實時監測●  采用EQCM對鋰離子二次電池進行評價●  氣相分析,如濕度及有氣味的物質●  表面清潔性的定量分析●  沉積層的厚度測試●  通過測試電導的頻率特征來對結構變化進行分析技術參數:測試項目:同時測試晶振片頻率和電阻或者電導的頻率特征晶振片頻率:分辨率:0.01Hz,量程:5MHz-30MHz晶振片電阻:分辨率:0.01 ?,量程:1 ?-10k ?電導頻率表征:頻率范圍4MHz-30MHzdeltaF模擬輸出:全量程:±10V(14位),范圍:±100Hz - ±500kHzdeltaR模擬是輸出:全量程:±10V(14位),范圍:±10歐姆- ±10 k歐姆模擬輸入:2通道,全量程:±3V/6V/12V(14位)控制時間:10毫秒/20毫秒/100毫秒/1秒/10秒顯示:20字符 4線 OLED接口:USB  2.0輸入電源:AC  100-240 V, 50/60Hz尺寸(長×寬×高)(mm):162×160×95重量:1.3公斤操作環境溫度:5℃ - 40℃ 無冷凝認證標準:CE認證9MHz AT切割晶振片QA-A9M系列:電極材料:Au, Pt, Ag, Al, C, Cu, ITO, Mo, Ni, Si, SiO2, SUS304, Ti等電極面積:5mmφ9MHz AT切割晶振片QA-A30M系列:電極材料:100nm的Au等通過氣相沉積到一層Ti膜上電極面積:5mmφ主要特點:●  連接方式:USB2.0●  晶振片頻率:分辨率:0.01Hz,量程:5MHz-30MHz,靈敏度更高●  電導測試●  改進性能:●  可測試1ng/Hz-0.1ng/Hz的變化●  deltaF分辨率高達14bit●  deltaR分辨率高達14bit●  時間控制提高至10ms●  完全兼容QCM922的晶振片,并有更多類型的晶振片可供選擇

      盈諾 SYTP-1  石英晶體微量天平

      盈諾 SYTP-1 石英晶體微量天平

      • 品牌: 上海盈諾
      • 型號: SYTP-1
      • 產地:
      • 供應商:上海盈諾精密儀器有限公司

        石英晶體微量天平SYTP-1 石英晶體微量天平全新智能觸摸升級產品技術特點1:7寸寬大觸摸屏操控,當前溫度、設定溫度,探頭頻率,溫度修正,溫度曲線、頻率曲線等信息一體化顯示,操作非常簡便。2:支持儀器單獨操作使用,支持連接電腦使用。3:多種通訊方式,USB和網口傳輸數據。4:支持U盤保存歷史數據,配套的上位機也支持歷史數據保存。技術參數頻率10MHz質量靈敏度2.26×10^8Hz/ (g/cm2)質量范圍4.42×10-9g/cm2~4.42×10-4g/cm2罐內電纜及天平傳感器工作環境-196℃-70℃,10^-5Pa控溫精度0.1℃測試精度±1Hz輸入電源100V-240V,50HZ/60HZ

      石英晶體微天平

      石英晶體微天平

      Q-Sense全自動八通道石英晶體微天平

      Q-Sense全自動八通道石英晶體微天平

      • 品牌: 芬蘭Q-Sense
      • 型號: Pro
      • 產地:瑞典
      • 供應商:佰奧林(上海)貿易有限公司

        見微知著, Q-sense Pro**********儀器簡介**********QCM-D技術的核心是石英晶體傳感器,它由石英晶體夾在兩片電極中間形成三明治結構。在電極兩端加入一個交流電壓,在傳感器的共振頻率處引發一個小的剪切振動,當交流電壓關閉后,振動呈指數衰減,這個衰減被記錄下來,得到共振頻率(f)和耗散因子(D)兩個參數。對于薄層硬質薄膜,可以使用Sauerbrey關系和公式,根據傳感器振動計算吸附層的質量。當沉積的薄膜松散和粘性時,能量通過薄膜上的摩擦被消耗,傳感器的振動發生衰減,耗散因子提供了傳感器上吸附的薄膜的結構信息。通過使用多個頻率和耗散因子數據,使用粘彈性模型而非Sauerbrey關系,我們可以計算得到質量(mass)、厚度(thickness)、粘度(viscosity)和彈性(elasticity)。耗散型石英微晶體天平Q-Sense Pro是迄今為止市場上最先進的,自動化程度最高的QCM分析儀器,這種優勢使得它具有很高的工作效率和實驗可重復性。而簡易的程序編輯和高精度的溶液流量控制使得樣品得到最有效率的使用。操作簡單、技術多樣化、多種修飾表面的傳感器使得您可以使用Q-Sense Pro創造出無限的可能。盡情享受實驗的樂趣吧!**********產品優勢**********●全自動的啟鑰系統集成化的樣品處理方式以及直觀的軟件操控使得儀器操作變得易于上手。預先編輯的實驗程序使得儀器運行再也不需要人為監管。●低至50μL的樣品量Q-Sense Pro能夠進行精確的樣品處理,從而使樣品得到有效利用。●便捷高效八通道傳感器模塊可以提前設置好八個同步實驗,可減少動手時間,提高了實驗效率。●靈活的流量控制和極高的實驗重現性獨立工作的高精度注射泵保證了四個通道高度精確的獨立流量控制。可編程控制樣品混合如自動樣品濃度梯度保證了實驗極高的重現性。●內置的溫度控制試驗溫度可由軟件控制在4到70℃之間。可根據實驗需要配置預加熱或預降溫的樣品架。●QCM-D技術與其他技術聯用Q-Sense Pro兼容Q-Sense公司其他配件。通過加載單通道樣品池,可以將您的QCM-D實驗與橢偏儀、電化學或顯微鏡等技術聯用。**********儀器原理**********Q-Sense Pro是一種檢測吸附在表面上的分子反應機制的實時分析儀器。當分子層在傳感器表面質量發生變化或者結構發生改變時, Pro可以測量分子層的變化。在材料、蛋白質和表面活性劑等領域的研究中,Q-Sense Pro設備起到了關鍵作用。從快速儀器入門使用,到高質量數據分析,Q-Sense Pro提供了一套完整的解決方案。儀器有八個流動模塊,每一個模塊都配備一個傳感器,最多可以進行四個平行測試。多種可選模塊,例如電化學QCM-D,可以進行聯用測試。我們的產品提供包括硬件、軟件、技術支持和讓您可以快速開始研究所需的介紹、培訓以及實驗結果解析。Q-Sense Pro 設備基于極其靈敏和快捷的技術,帶耗散因子檢測的石英晶體微天平(QCM-D)。該設備的核心是傳感器在加載電壓的作用下以特定頻率下振蕩。當傳感器上的質量發生變化時,其振蕩頻率會隨之變化(1)。斷開電路會導致振蕩衰減。衰減速率或者耗散因子與傳感器上的分子層粘彈性有關(2)。通過測定頻率和耗散,QCM-D可以分析吸附在傳感器表面的分子層狀態,包括質量、厚度和結構性質(粘彈性)。**********使用方法********************技術參數**********傳感器數量8個(流動模式中最多4個平行測試)傳感器上方體積~15μL最小樣品體積~50μL工作溫度4-70 °C,由軟件控制,精確度±0.02 °C常規流速20-100 μL/min最小分配/等分體積1μL清洗所有與液體接觸元件均可拆卸,并可在超聲波浴中清洗傳感器晶體5 MHz,直徑14 mm,拋光,AT切割,金電極樣品數量3*12樣品架,樣品管徑13, 16或18mm;或3*24樣品架,2mL微量管;或1*96微孔板+上述任意樣品架頻率范圍1-70 MHz (對于5 MHz晶片,從7個頻率到13個泛頻,最高至65 MHz)最大時間分辨率,1個頻率最高達每秒200個數據點液相中常規質量精度與最大質量精度~ 1.8 ng/cm2(18 pg/mm),~ 0.5 ng/cm2(5 pg/mm)液相中常規耗散因子精度與最大耗散因子精度~0.1*10-6,~0.04*10-6液相典型峰間噪音(RMS)~ 0.16 Hz (0.04 Hz)操作系統USB 2.0,Windows 7,Inter i5處理器(或相當),8GB或者更高內存,推薦分辨率1680*1050 pixels的22寸顯示器輸入/輸出擬合的粘度、彈性、厚度以及動力學參數,Excel, BMP, JPG, WMF, GIF, PCX, PNG, TXT儀器尺寸70cm*67cm*57cm**********具體應用領域如下**********●生物材料表面分析●生物傳感器的研究●蛋白質的相互作用●膜表面的吸附/解析●生物膜表面DNA的雜交●酶的降解●聚電解質單/多層膜的研究●細胞在不同表面的吸附●靶向藥物的研究●催化、腐蝕等研究●高分子溶漲、結構改變、等特性的研究●高分子材料的生物相容性等

      Q-Sense擴展版單通道石英晶體微天平

      Q-Sense擴展版單通道石英晶體微天平

      • 品牌: 芬蘭Q-Sense
      • 型號: Explorer
      • 產地:瑞典
      • 供應商:佰奧林(上海)貿易有限公司

        **********儀器簡介**********QCM-D技術的核心是石英晶體傳感器,它由石英晶體夾在兩片電極中間形成三明治結構。在電極兩端加入一個交流電壓,在傳感器的共振頻率處引發一個小的剪切振動,當交流電壓關閉后,振動呈指數衰減,這個衰減被記錄下來,得到共振頻率(f)和耗散因子(D)兩個參數。對于薄層硬質薄膜,可以使用Sauerbrey關系和公式,根據傳感器振動計算吸附層的質量。當沉積的薄膜松散和粘性時,能量通過薄膜上的摩擦被消耗,傳感器的振動發生衰減,耗散因子提供了傳感器上吸附的薄膜的結構信息。通過使用多個頻率和耗散因子數據,使用粘彈性模型而非Sauerbrey關系,我們可以計算得到質量(mass)、厚度(thickness)、粘度(viscosity)和彈性(elasticity)。越來越多發表的科學文獻證明了QCM-D系統的技術可靠性。該技術的核心是石英晶體在負載電壓下以一個特定頻率振蕩。當晶體上的質量改變時,振蕩的共振頻率也會隨之變化。通過這種方法,可以在納克級靈敏度上測定質量變化。這種獨特的Q-Sense專利設計可以同時測量耗散因子,從而提供薄膜的結構和粘彈性信息。它可以提供諸如吸附膜的分子結構、厚度、水含量的信息。此外還可以檢測反應前、進行中和結束后的表面吸附層的變化。耗散因子是指當電路斷開后震蕩的晶體頻率降低到0的時間快慢。任何可在芯片上形成薄膜的物質都可以進行免標記測試,這些物質包括聚合物、金屬和化學改性表面。實時測試系統每秒可提供高達200個數據點。**********產品優勢**********●追蹤表/界面變化憑借著納克級的靈敏度,Q-SenseExplorer可以精確測量吸附層的質量變化,結構和粘彈性質。它可以區分兩個相似吸附層,或者觀測相轉變或吸附層的結構變化。不僅如此,兩種類型相似層的吸附,吸附層相轉變或者結構變化,都可以通過QCM-D檢測出來。●實時分析每秒記錄高達200個數據點,Q-Sense系統可以讓您實時、完整地跟蹤分子的相互作用。●自由的表面選擇金屬,聚合物,化學改性表面,只要是能在芯片表面上鋪展成薄膜的材料,都可以成為我們的定制芯片涂層。●整體解決方案Q-Sense提供易于上手的整體解決方案。 Q-SenseExplorer系統包括儀器、軟件、電腦和安裝教程。Q-Sense也提供技術培訓和應用支持。●單通道傳感器系統緊湊、易用、免標記的單通道傳感器設計保證您進行可靠穩定的QCM-D測試,同時具有極佳的可重復性。●可選模塊可提供如電化學和窗口模塊等附件模塊。**********儀器原理**********Q-Sense Explorer是一種檢測吸附在表面上的分子反應機制的實時分析儀器。當分子層在傳感器表面質量發生變化或者結構發生改變時, Explorer可以測量分子層的變化。在材料、蛋白質和表面活性劑等領域的研究中,Q-Sense Explorer設備起到了關鍵作用。從快速儀器入門使用,到高質量數據分析,Q-Sense Explorer提供了一套完整的解決方案。儀器為單通道測試模塊,并且該系統提供可選的窗口模塊,可以進行芯片表面即時光學觀測。Explorer系統的緊湊設計同樣可以對芯片上的反應進行光譜研究,如光催化反應(紫外修復)和即時顯微研究(細胞在表面吸附)。我們的產品提供包括硬件、軟件、技術支持和讓您可以快速開始研究所需的介紹、培訓以及實驗結果解析。Q-Sense Explorer設備基于極其靈敏和快捷的技術,帶耗散因子檢測的石英晶體微天平(QCM-D)。該設備的核心是傳感器在加載電壓的作用下以特定頻率下振蕩。當傳感器上的質量發生變化時,其振蕩頻率會隨之變化(1)。斷開電路會導致振蕩衰減。衰減速率或者耗散因子與傳感器上的分子層粘彈性有關(2)。通過測定頻率和耗散,QCM-D可以分析吸附在傳感器表面的分子層狀態,包括質量、厚度和結構性質(粘彈性)。**********使用方法********************技術參數**********傳感器數量1個傳感器上方體積~40 μL最小樣品體積~300 μL工作溫度15-65 °C,由軟件控制,精確度±0.02 °C,可提供高溫模塊,量程4~150°C常規流速0-1 mL/min清洗所有與液體接觸元件均可拆卸,并可在超聲波浴中清洗傳感器晶體5 MHz,直徑14 mm,拋光,AT切割,金電極頻率范圍1-70 MHz (對于5 MHz晶片,從7個頻率到13個泛頻,最高至65 MHz)最大時間分辨率,1個頻率最高達每秒200個數據點液相中常規質量精度與最大質量精度~ 1.8 ng/cm2(18 pg/mm),~ 0.5 ng/cm2(5 pg/mm)液相中常規耗散因子精度與最大耗散因子精度~0.1*10-6,~0.04*10-6液相典型峰間噪音(RMS)~ 0.16 Hz (0.04 Hz)**********具體應用領域如下**********●生物材料表面分析●生物傳感器的研究●蛋白質的相互作用●膜表面的吸附/解析●生物膜表面DNA的雜交●酶的降解●聚電解質單/多層膜的研究●細胞在不同表面的吸附●靶向藥物的研究●催化、腐蝕等研究●高分子溶漲、結構改變、等特性的研究●高分子材料的生物相容性等

      第二代石英晶體微天平 Q-Sense E4

      第二代石英晶體微天平 Q-Sense E4

      • 品牌: 芬蘭Q-Sense
      • 型號: E4
      • 產地:瑞典
      • 供應商:上海熱冰電子科技有限公司

        產品特點: 1、質量測定:測試表面形成的分子層的質量,精度達到毫微克。例如,可檢測到1%或更低濃度蛋白質單分子層的結構變化 2、結構變化:同步測試結構變化,因此可以區分兩個相似的鍵合反應或觀察到吸附層上發生的相轉變 3、實時分析:可以進行實時記錄和動力學評估 4、無須標記:無須對分子做標記,儀器測定的是分子本身 5、柔性的表面選擇:適用于任何能形成薄膜的表面如金屬、高分子、化學改性表面等 6、流量測試:特別設計的樣品池可以在控溫環境下進行流量測定 產品技術參數: 傳感器數量: 4個,也可使用1、2、3個 傳感器上方體積: -40ul,采用5MHz晶體,Q-Sense流動模塊 最小樣品體積: -200ul 工作溫度: 15-65°C(可選項:4-150°C),由軟件控制; 控溫精度為:0.02°C 流動速率: 0-1 ml/min 清潔: 所有與液體接觸元件均可拆卸,并可在超聲波浴中清洗 傳感器晶體: 5MHz,直徑14mm,拋光,金電極

      德國3T analytik qCell

      德國3T analytik qCell

      • 品牌: 德國3T analytik
      • 型號: qCell
      • 產地:德國
      • 供應商:萊比信中國(LABSUN CHINA)

        產品描述:產品簡介:實時、無標記追蹤表面反應:分子相互作用、表面吸脫附、流體性質德國3T analytik公司是一家專業從事石英晶體微分析儀(QCM)研發和生產的企業,也是世界上少數掌握石英晶體實時能量耗散追蹤技術(Damping/Dispassipation)的企業。其設計開發的3T analytik系列石英晶體微天平作為一款具有最新設計理念的產品,具有緊湊的設計、人性化的細節以及全自動控制的功能,具有行業最一流的量程、靈敏度及穩定性,可視作是新一代耗散型石英晶體微天平的翹楚。3T analytik石英晶體微天平主要分為精確溫控的qCell T系列和普通溫控的qCell系列,在各個系列中又包含了雙通道、四通道、電化學、高強度等多種不同的配置,以分別滿足不同預算和科研放學的客戶需求。技術原理:儀器的核心組件為具有功能表面的石英芯片,通過石英晶體的壓電效應來實時監控表面反應。當物質在石英晶體表面發生吸脫附反應或者石英晶體表面的液體性質發生變化時,都會引起頻率的變化和振蕩損耗(耗散)的變化。芯片共振頻率的變化,與芯片表面吸附的物質的質量相關。而振蕩能量損耗的強度與吸附物質本身的粘彈性及結構相關。qCell或qCell T均可以高精度實時的監控這些變化。通過分析頻率變化與耗散變化,可以獲得吸附層相應的質量、吸附層厚度、粘彈性(剪切模量)等信息。應用領域:分子相互作用動力學研究(結合/解離常數)細胞吸附、遷移與變化藥物作用與藥物篩選生物材料相容性研究聚電解質膜的層層組裝血凝檢測及分析酶降解研究生物傳感器平臺高分子溶脹、結構變化原油富集及儲運研究材料腐蝕與防污水處理及環境污染物消除礦物浮選納米顆粒分散性流體粘彈性新能源行業細菌生物膜研究產品優勢:高度集成:qCell及qCell T系列產品是經頂級工業設計團隊設計的高度集成的實驗平臺,操作簡便,可快速啟動實驗;實時監控:通過qGraph軟件可實時監控和記錄芯片表面發生的反應;無需標記:測量過程中無需外加標記物對反應分子進行標記;精確高效:最少僅需要微升級別的樣品量,質量測量精度可到達納克級,并可探索納米級別的結構變化;結構分析:有別于普通的石英晶體分析儀,耗散型功能可以三維的分析表面分子的結構及粘彈性變化;精確溫控:測量池使用半導體溫控,樣品池水浴控溫,保證了樣品在整個測量過程中精確控溫;自動進樣:樣品進出測量池的全程由軟件控制,可自定義進樣流程,避免了人為誤操作的風險;全程回溯:軟件自動記錄實驗過程中所有操作,同時又可手動編輯,保證實驗過程和結果可回溯;高重復性:專利式的芯片及測量池固定方式,消除了潛在的影響因素,保證了實驗的重復性;應用廣泛:可監控一切納米尺度的表面反應及表面變化;橫跨平臺:可同時檢測納米級的大分子相互作用及微米級的細胞吸附、遷移及變化;技術參數:傳感器: 傳感器特性 8.5mm芯片,樣品接觸面積38 mm2,有效面積19.6mm2芯片材料 固定于聚酯膜上的鍍金石英片固定方式 特定位點固定數據回溯 全壽命狀態可回溯功能表面 多種,可定制基頻 10M Hz基頻準確性 無限制,準確質量精度 0.86 ng/Hz, 0.2ng/cm2耗散精度 0.04X 10-6頻率分辨率 0.2Hz樣品量: 芯片上方體積 30 ul最小樣品體積 40-80ul進樣系統: 控制方式 軟件控制,可編程控制,也可手動控制流速范圍 9-5600 ul/min操作軟件: 可控參數 泵流速、泵流量操作記錄 軟件自動記錄,用戶可在記錄的時間軸上手動輸入數據結果 質量、厚度、粘性模量、剪切模量操作系統 Win 8(64位)及以下系統結果輸出 多種形式Excel、PDF、JPG、BMP…

      德國3T analytik石英晶體微天平q-cell T

      德國3T analytik石英晶體微天平q-cell T

      • 品牌: 德國3T analytik
      • 型號: q-cell T
      • 產地:德國
      • 供應商:萊比信中國(LABSUN CHINA)

        產品描述:產品簡介:實時、無標記追蹤表面反應:分子相互作用、表面吸脫附、流體性質德國3T analytik公司是一家專業從事石英晶體微分析儀(QCM)研發和生產的企業,也是世界上少數掌握石英晶體實時能量耗散追蹤技術(Damping/Dispassipation)的企業。其設計開發的3T analytik系列石英晶體微天平作為一款具有最新設計理念的產品,具有緊湊的設計、人性化的細節以及全自動控制的功能,具有行業最一流的量程、靈敏度及穩定性,可視作是新一代耗散型石英晶體微天平的翹楚。3T analytik石英晶體微天平主要分為精確溫控的qCell T系列和普通溫控的qCell系列,在各個系列中又包含了雙通道、四通道、電化學、高強度等多種不同的配置,以分別滿足不同預算和科研放學的客戶需求。技術原理:儀器的核心組件為具有功能表面的石英芯片,通過石英晶體的壓電效應來實時監控表面反應。當物質在石英晶體表面發生吸脫附反應或者石英晶體表面的液體性質發生變化時,都會引起頻率的變化和振蕩損耗(耗散)的變化。芯片共振頻率的變化,與芯片表面吸附的物質的質量相關。而振蕩能量損耗的強度與吸附物質本身的粘彈性及結構相關。qCell或qCell T均可以高精度實時的監控這些變化。通過分析頻率變化與耗散變化,可以獲得吸附層相應的質量、吸附層厚度、粘彈性(剪切模量)等信息。應用領域:分子相互作用動力學研究(結合/解離常數)細胞吸附、遷移與變化藥物作用與藥物篩選生物材料相容性研究聚電解質膜的層層組裝血凝檢測及分析酶降解研究生物傳感器平臺高分子溶脹、結構變化原油富集及儲運研究材料腐蝕與防污水處理及環境污染物消除礦物浮選納米顆粒分散性流體粘彈性新能源行業細菌生物膜研究產品優勢:高度集成:qCell及qCell T系列產品是經頂級工業設計團隊設計的高度集成的實驗平臺,操作簡便,可快速啟動實驗;實時監控:通過qGraph軟件可實時監控和記錄芯片表面發生的反應;無需標記:測量過程中無需外加標記物對反應分子進行標記;精確高效:最少僅需要微升級別的樣品量,質量測量精度可到達納克級,并可探索納米級別的結構變化;結構分析:有別于普通的石英晶體分析儀,耗散型功能可以三維的分析表面分子的結構及粘彈性變化;精確溫控:測量池使用半導體溫控,樣品池水浴控溫,保證了樣品在整個測量過程中精確控溫;自動進樣:樣品進出測量池的全程由軟件控制,可自定義進樣流程,避免了人為誤操作的風險;全程回溯:軟件自動記錄實驗過程中所有操作,同時又可手動編輯,保證實驗過程和結果可回溯;高重復性:專利式的芯片及測量池固定方式,消除了潛在的影響因素,保證了實驗的重復性;應用廣泛:可監控一切納米尺度的表面反應及表面變化;橫跨平臺:可同時檢測納米級的大分子相互作用及微米級的細胞吸附、遷移及變化;技術參數:傳感器: 傳感器特性 8.5mm芯片,樣品接觸面積38 mm2,有效面積19.6mm2芯片材料 固定于聚酯膜上的鍍金石英片固定方式 特定位點固定數據回溯 全壽命狀態可回溯功能表面 多種,可定制基頻 10M Hz基頻準確性 無限制,準確質量精度 0.86 ng/Hz, 0.2ng/cm2耗散精度 0.04X 10-6頻率分辨率 0.2Hz樣品量: 芯片上方體積 30 ul最小樣品體積 40-80ul進樣系統: 控制方式 軟件控制,可編程控制,也可手動控制流速范圍 9-5600 ul/min主機: 快速啟動 ECB按鈕快速啟動并控制離線操作 通過控制面板離線實現實驗測量池 電極固定在主機上,固定的擰緊角度溫控系統: 溫控系統 測量池半導體控溫,樣品管半導體+水浴控溫溫控范圍 4-80度溫度精度 0.1度(可升級為0.02度)最大冷卻速度 6度/min最大加熱速度 10度/min操作軟件: 可控參數 溫度、泵流速、泵流量操作記錄 軟件自動記錄,用戶可在記錄的時間軸上手動輸入數據結果 質量、厚度、粘性模量、剪切模量操作系統 Win 10及以下系統結果輸出 多種形式Excel、PDF、JPG、BMP…尺寸,重量及電源:尺寸(寬x深x高):260 x 317 x 197 mm3重量:6 kg接口:Ethernet, TTL I / O, Interface to control Peristaltic Pump更多信息,請訪問3T analytik中文網站:www.3t-analytik.cn

      Gamry電化學石英晶體微天平

      Gamry電化學石英晶體微天平

      • 品牌: 美國Gamry
      • 型號: Gamry eQCM 10M?
      • 產地:美國
      • 供應商:美國Gamry電化學

        ????????????特征:> 0.02赫茲的頻率分辨率 >阻抗掃描給予晶體震動的全譜 >無需手動補償并聯電容 >USB接口 >集成的QCM和恒電位儀的數據采集 >數據分析采用Gamry的靈活軟件或者廣泛使用的Echem Analyst軟件包。 >包括電解池和五個晶片應用: >聚合物吸附/脫附 >電活性聚合物 >鋰離子的嵌入 >離子和溶劑的傳輸 >腐蝕研究 >鍍研究 >欠電位沉積 >抗體抗原相互作用 >表面活性劑的吸附 >自組裝膜 >納米粒子吸附>表面涂層快速數據采集及擬和 非常高的數據采集速率。和更昂貴的其他分析儀比較,eQCM 10M 是更為經濟的選擇。例如,可以在20毫秒以內獲取20 kHz的晶片頻譜。與其他一些QCM儀器 相比,它不依賴于鎖相振蕩器,所以它不需要手動取消并聯電容。晶片的頻譜是建立在一個有規律函數的線性擬合, Pade近似方程,并且分別提供一系列的竄聯共振頻率和并聯共振頻率,fs和fp。憑借這兩個參數,除了質量變化信息,還可以獲得膜的粘彈性質的變化。同時也可以使用這兩個參數來獲得衰減因素,Qr,其可以很好的定義膜的特性,從一個僵化的膜到粘性膜的變化信息。軟件 GAMRY的諧振器軟件控制QCM和Gamry電化學儀器。諧振器軟件配備了全套物理電化學技術。電化學技術 >循環伏安 >線性掃描伏安法 >計時電流 >計時電位 >計時電量 >控制電位庫侖 >重復計時電流 >重復計時電位 >多步驟的計時電流頻率數據和電位數據同時顯示在數據采集圖中。下面是在金電極上的銅膜的循環伏安中的QCM和電化學數據。采用GAMRY Echem analyst 的數據分析 當你采用10 M Gamry的eQCM和Reference 600 TM的結合,就可以建成目前最好的電化學石英晶體微天平。數據可以通過Gamry 的強大Echem 電化學分析軟件提供一個直觀的感受,包括分析和報告文稿。顯示標準的電流/電壓曲線,頻率數據圖。其他繪圖格式例如?m對電荷(庫侖或摩爾)或Qr隨時間變化的曲線也可以自由選擇。線性擬合的?m與進入或進出膜的物質摩爾質量的變化曲線。在Echem電化學分析軟件中,電流/電壓數據覆蓋高頻數據作為標準數據分析的一部分。我們給予您可以靈活安排任何方式的圖表。此外,采用Visual Basic 編寫的 Echem電化學分析應用程序,大幅度提高修改數據處理的能力。例如,如果你想計算聚合物薄膜中發生氧化還原反應的溶劑通量,你可以寫一個自定義的腳本來計算顯示通量與電位,時間,或充電的關系曲線。諧振器甚至有能力記錄晶體的整個相對阻抗譜到數據庫,包括每個數據點(或每隔n個點)。這激動人心的功能,讓你調查實驗現象的更多細節。Echem電化學分析軟件或任何其他光譜繪圖或分析程序(如Mathcad或MATLAB)都可以打開結果而建立模型。單機使用 eQCM 10M系統也可以被用來作為一個獨立的儀器來使用。如果你有興趣研究質量的變化過程,如形成的自組裝單層,細胞吸附,或蛋白質結合過程,你會發現eQCM 10M是一個方便的選擇。數據分析可以通過GAMRY的強大和靈活的Echem電化學分析軟件包完成。腐蝕工程師對腐蝕過程中的質量的變化也會感興趣和感覺該技術特別有用,因為金屬晶片相關頻率的變化可以直接獲得物質增重或損失。你甚至可以自定義的數據分析腳本軟件,根據質量損失隨時間變化率的基礎上自動計算出腐蝕速率。系統信息 eQCM 10M與Gamry諧振器軟件,Gamry Echem分析師軟件,快速啟動指南,硬件操作手冊(光盤版),軟件操作手冊(CD),一個eQCM電解池,AC電源適配器,一個USB接口電纜,一個BNC電纜, 一個恒電位儀接口電纜,5 個涂金層的石英晶片。eQCM 10M提供為期兩年的工廠保修服務。 eQCM 10M通過連接到一臺計算機與一個Gamry恒電位儀,至少含有PHE200許可證的軟件完成測量,然后通過Echem結合的QCM和電化學數據分析軟件包完成數據的分析。這個 Gamry恒電位儀可以是型號Reference 3000,Reference 600, Reference G750,或者G 300。分析軟件與微軟的Windows XP,Windows Vista或 7是兼容的。相關配件 >eQCM 電解池 >5兆赫,直徑為1.37厘米AT切的涂金層的晶片>5兆赫,直徑為1.37厘米AT切的碳包覆晶片系統頻率范圍1-10 MHz頻率分辨率0.02 Hz界面USB操作溫度范圍0 - 45 oC相對濕度最大90%,非凝結重量1 Kg尺寸75×115×80 mmAC 電源適配器100-264 V AC, 47-63 Hz石英晶體微天平12 V DC, 25 W????????????

      耗散型石英晶體微天平

      耗散型石英晶體微天平

      • 品牌: 西班牙AWSensors
      • 型號: AWS AF20 RP
      • 產地:西班牙
      • 供應商:瑞德科圖(北京)科技有限公司

        基于專利的QCM-D技術 用于材料表征與生命科學研究 結合常規QCM芯片、高頻QCM芯片與叉指換能器芯片 微流控系統集成了樣品、緩沖試劑與廢液處理功能 可對試劑和樣品分別控溫 測試系統配置靈活,1-4個通道

      QCM-I 耗散型石英晶體微天平

      QCM-I 耗散型石英晶體微天平

      • 品牌: 匈牙利MicroVacuum
      • 型號: QCM-I
      • 產地:其它
      • 供應商:美國Gamry電化學

        QCM-I 耗散型石英晶體微天平是基于對石英晶片進行阻抗分析基礎上的高度靈敏的質量傳感器,能夠測量石英晶片或所吸附薄膜的頻率變化及能量耗散,進而分析反應過程中微小的質量變化,吸附層厚度變化等;能夠判斷膜的剛性或柔性,并且分析膜的粘彈性方面的性質;以及實時追蹤分子排列、結構變化等。儀器提供單通道、多通道多種配置;可以單獨使用,也可與電化學工作站同步聯用。

      多參數石英晶體微天平

      多參數石英晶體微天平

      • 品牌: 西班牙AWSensors
      • 型號: AWS A20 RP
      • 產地:西班牙
      • 供應商:瑞德科圖(北京)科技有限公司

        測試系統配置靈活,1-4個通道 石英傳感器頻率變化和導納-頻率特征譜來檢測芯片表面質量和結構變化 具有倍頻操作模式,可給出薄膜的粘度,彈性模量,粘性模量,厚度等信息。 測試頻率高達160MHz,靈敏度可達0.05ng/cm2。 軟件自動尋找基頻 可控溫

      鋁酸鎂(MgAl2O4)晶體基片

      鋁酸鎂(MgAl2O4)晶體基片

      • 品牌: 合肥科晶
      • 型號: MgAl2O4
      • 產地:
      • 供應商:合肥科晶材料技術有限公司

        產品名稱:鋁酸鎂(MgAl2O4)晶體基片產品簡介:鋁酸鎂(尖晶石)單晶廣泛應用于聲波和微波器件及快速IC外延基片。同時研究發現它是好的III-V族氮化物器件的襯底。MgAl2O4晶體由于很難維持它的單晶結構而難以生長,經過幾年的努力,目前科晶公司能夠提供世界上質量最優尺寸的MgAl2O4晶體。技術參數:晶體結構立方晶格常數a=8.085?生長方法提拉法熔點2130℃密度3.64g/cm3莫氏硬度8 Mohs熱膨脹系數7.45×10-6/℃聲速6500m/s ,[100]剪切波傳播損耗(9GHz)6.5db/us顏色及外觀白色透明產品規格:常規晶向:<100>、<110>、<111>公差:+/-0.5度常規尺寸:dia2"x0.5mm, 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm;拋光情況:單拋或雙拋;表面粗糙度Ra:<5A注:可按客戶要求定制方向和尺寸。標準包裝:1000級超凈室,100級超凈袋或單片盒封裝相關產品:ZnOSiCGaNMgAl2O4(spinel)LiGaO2OtherAl2O3AlN template基片包裝盒系列等離子清洗機薄膜制備設備

      鋁酸鋰(LiAlO2)晶體基片

      鋁酸鋰(LiAlO2)晶體基片

      • 品牌: 合肥科晶
      • 型號: LiAlO2
      • 產地:
      • 供應商:合肥科晶材料技術有限公司

        產品名稱:鋁酸鋰(LiAlO2)晶體基片產品簡介:鋁酸鋰單晶與氮化鎵的晶格失配率非常小(1.4%)而成為氮化鎵薄膜的優質基片。技術參數:晶體結構四方晶格常數(?)a=5.17 c=6.26與GaN失配率(001)1.4%熔點(℃)1900密度(g/cm3)2.62硬度(Mohs)7.5產品規格:常規晶向:<100>, <001>公差:+/-0.5度;常規尺寸:dia2”x0.5mm, 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm,5x5x0.5mm;拋光情況:細磨、單拋或雙拋;注:可按客戶需求定制方向和尺寸。標準包裝:1000級超凈室,100級超凈袋封裝相關產品:Crystal wafer A-Z等離子清洗機基片包裝盒系列切割機薄膜制備設備

      氮化鎵(GaN)晶體基片

      氮化鎵(GaN)晶體基片

      • 品牌: 合肥科晶
      • 型號: G-a-N
      • 產地:
      • 供應商:合肥科晶材料技術有限公司

        產品名稱:氮化鎵(GaN)晶體基片產品簡介:GaN易與AlN、InN等構成混晶,能制成各種異質結構,已經得到了低溫下遷移率達到105cm2/Vs的2-DEG(因為2-DEG面密度較高,有效地屏蔽了光學聲子散射、電離雜質散射和壓電散射等因素).科晶公司將為您提供高品質低價位的氮化鎵晶體和基片。技術參數:制作方法:HVPE(氫化物氣象外延法)傳導類型:N型;半絕緣型電阻率:R<0.5Ω.cm;R>106Ω.cm表面粗糙度:<0.5nm位錯密度:<5x106Ω.cm可用表面積:>90%TTV:≤15umBow:≤20um產品規格:晶體方向:<0001>;常規尺寸:dia50.8mm±1mmx0.35mm±25um;注:可按照客戶要求加工尺寸及方向。標準包裝:1000級超凈室100級超凈袋或單片盒裝相關產品:Thin Films A-ZCrystal wafer A-Z等離子清洗機基片包裝盒系列切割機薄膜制備設備

      進口鎵酸鋰(LiGaO2)晶體基片

      進口鎵酸鋰(LiGaO2)晶體基片

      • 品牌: 合肥科晶
      • 型號: LiGaO2
      • 產地:
      • 供應商:合肥科晶材料技術有限公司

        產品名稱:進口鎵酸鋰(LiGaO2)晶體基片技術參數:基本特性晶體結構正交晶格常數a=5.406 ?b=5.012 ? c=6.379 ?生長方法提拉法密度4.18 g/cm3熔點1600oC硬度7.5顏色和外觀白色到棕色,沒有攣晶和包裹物產品規格:常規晶向:<001 >、<100>;常規尺寸:10 x 10 x 0.5 mm;拋光情況:外延拋光基片;單拋或雙拋;注:可根據客戶需求提供特殊尺寸和晶向標準包裝:1000級超凈室100級超凈袋相關產品:A-Z系列晶體列表等離子清洗機基片包裝盒系列切割機旋轉涂層機

      三氧化二鋁(Al2O3)晶體基片

      三氧化二鋁(Al2O3)晶體基片

      • 品牌: 合肥科晶
      • 型號: Al2-O-3
      • 產地:
      • 供應商:合肥科晶材料技術有限公司

        產品名稱:三氧化二鋁(Al2O3)晶體基片產品簡介:Al2O3單晶(Sapphire,又稱白寶石,藍寶石)有著很好的熱特性,極好的電氣特性和介電特性,并且防化學腐蝕,它耐高溫,導熱好,硬度高,透紅外,化學穩定性好。廣泛用于耐高溫紅外窗口材料和III-V族氮化物及多種外延薄膜基片材料,為滿足日益增長的藍、紫、白光發光二極管(LED)和藍光激光器(LD)的需要,科晶公司專業生產高質量的藍寶石晶體和外延拋光基片,將為您提供大量高質量低價格的單晶和基片。技術參數:晶體結構六方 a =4.758 ? c= 12.992 ?結晶方向(11-20 ) - a plane: 2.379 ? (1-102) - r plane: 1.740 ?(10-10) - m plane: 1.375 ? (0001) - c plane: 2.165 ?單晶純度> 99.99%熔點2040oC密度3.98 g/cm3硬度9 ( mohs)熱膨脹7.5(x10-6/oC)熱容0.10( cal /oC)熱導46.06 @ 0oC 25.12 @ 100oC, 12.56 @ 400oC( W/(m.K) )介電常數~ 9.4 @300K at A axis ~ 11.58@ 300K at C axis正切損耗< 2x10-5at A axis , <5 x10-5at C axis產品規格:常規晶向:C, A, M, R 公差:+/-0.2度產品尺寸:dia3"x0.5mm,dia2"x0.5mm, 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm拋光情況:單拋或雙拋,Ra<5A注:可按客戶需求定制相應的方向和尺寸。標準包裝:1000級超凈室,100級超凈袋或單片盒封裝相關產品:Crystal wafer A-Z等離子清洗機基片包裝盒系列切割機薄膜制備設備

      Ge晶體基片

      Ge晶體基片

      • 品牌: 合肥科晶
      • 型號: Ge
      • 產地:
      • 供應商:合肥科晶材料技術有限公司

        產品名稱:Ge晶體基片產品簡介:化學符號為Ge,主要用途有:制作半導體器件、紅外光學器件及太陽能電池襯底。技術參數:晶體結構:立方:a=5.6754?;生長方法:提拉法;密度:5.765g/cm3熔點:937.4℃熱傳導性:640摻雜物質:不摻雜;摻Sb;摻Ga類型:/;N;P;電阻率W.cm:>35;0.05;0.05-0.1;EPD:<4x103/cm2;產品規格:晶體方向:<111>,<100>and<110>±0.5o標準尺寸:dia1"x0.50mm;dia2"x0.5mm;dia4"x0.5mm(<110> Ra<5A,不化拋)注:可按照客戶要求加工尺寸及方向。標準包裝:1000級超凈室100級超凈袋或單片盒裝相關產品:A-Z系列晶體列表清洗機基片包裝盒系列劃片機旋轉涂層機

      硅鍺(Si-Ge)晶體基片

      硅鍺(Si-Ge)晶體基片

      • 品牌: 合肥科晶
      • 型號: Si-Ge
      • 產地:
      • 供應商:合肥科晶材料技術有限公司

        產品名稱:硅鍺(Si-Ge)晶體基片產品簡介:Al2O3(Sapphire,又稱白寶石,藍寶石)有著很好的熱特性,極好的電氣特性和介電特性,并且防化學腐蝕,它耐高溫,導熱好,硬度高,透紅外,化學穩定性好。廣泛用于耐高溫紅外窗口材料和III-V族氮化物及多種外延薄膜基片材料,為滿足日益增長的藍、紫、白光發光二極管(LED)和藍光激光器(LD)的需要,科晶公司專業生產高質量的藍寶石晶體和外延拋光基片,將為您提供大量高質量低價格的單晶和基片。技術參數:單晶:Si-Ge(wt2%)導電類型:Ptype電阻:7-8ohm-cm拋光情況:單面拋光產品規格:常規晶向:<100>;常規尺寸:dia4″x0.5mm;注:可按照客戶要求加工尺寸及方向。標準包裝:1000級超凈室100級超凈袋相關產品:A-Z系列晶體列表等離子清洗機基片包裝盒系列切割機旋轉涂層機

      AL2O3晶棒

      AL2O3晶棒

      • 品牌: 合肥科晶
      • 型號: AL2--O3
      • 產地:
      • 供應商:合肥科晶材料技術有限公司

        產品名稱:三氧化二鋁(Al2O3)產品簡介:Al2O3(Sapphire,又稱白寶石,藍寶石)有著很好的熱特性,極好的電氣特性和介電特性,并且防化學腐蝕,它耐高溫,導熱好,硬度高,透紅外,化學穩定性好。廣泛用于耐高溫紅外窗口材料和III-V族氮化物及多種外延薄膜基片材料,為滿足日益增長的藍、紫、白光發光二極管(LED)和藍光激光器(LD)的需要,科晶公司專業生產高質量的藍寶石晶體和外延拋光基片,將為您提供大量高質量低價格的單晶和基片。技術參數:晶體結構:六方a=4.758?c=12.992?結晶方向:(11-20)-aplane:2.379?(1-102)-rplane:1.740?(10-10)-mplane:1.375?(0001)-cplane:2.165?單晶純度:>99.99%熔點:2040oC密度:3.98g/cm3硬度:9(mohs)熱膨脹:7.5(x10-6/oC)熱容:0.10(cal/oC)熱導:46.06@0oC25.12@100oC,12.56@400oC(W/(m.K))介電常數:~9.4@300KatAaxis~11.58@300KatCaxis正切損耗:<2x10-5atAaxis,<5x10-5atCaxis產品規格:常規晶向:<0001>、<11-20>、<10-10>;常規尺寸:dia2″x0.5mm;厚度公差:+/-0.05mm注:可按照客戶要求加工尺寸及方向。標準包裝:1000級超凈室100級超凈袋相關產品:Other SapphireGaNAlN templateZnO金剛石刀真空吸筆基片包裝盒系列薄膜制備設備

      非極性GaN晶體基片

      非極性GaN晶體基片

      • 品牌: 合肥科晶
      • 型號: GaN
      • 產地:
      • 供應商:合肥科晶材料技術有限公司

        產品名稱:非極性氮化鎵(GaN)晶體基片產品簡介:技術參數:晶體定位面:Aplane<11-20>+/-1;Mplane<1-100>+/-1°.傳導類型:N型;半絕緣型電阻率:R<0.5Ω.cm;R>106Ω.cm表面粗糙度:<0.5nm位錯密度:<5x106Ω.cm可用表面積:>90%TTV:≤15um;產品規格:常規尺寸:10x5x0.5mm;厚度公差:+/-0.05mm;注:可按照客戶要求加工尺寸及方向。標準包裝:1000級超凈室100級超凈袋相關產品:Thin Films A-ZCrystal wafer A-Z等離子清洗機基片包裝盒系列切割機薄膜制備設備

      鋁酸鍶鉭鑭(LSAT)晶體基片

      鋁酸鍶鉭鑭(LSAT)晶體基片

      • 品牌: 合肥科晶
      • 型號: LSAT
      • 產地:
      • 供應商:合肥科晶材料技術有限公司

        產品名稱:鋁酸鍶鉭鑭(LSAT)晶體基片產品簡介:LSAT(La,Sr)(Al,Ta)O3是一種新的無孿晶鈣鈦礦晶體。LSAT與高溫超導體及多種氧化物材料有完好的匹配。LSAT的熔點低,用提拉法生長,成本比較低。因此,它有望取代LaAlO3/SrTiO3作為外延氧化物薄膜單晶基片廣泛用于巨磁鐵電及超導器件。技術參數:化學式:(La,Sr)(Al,Ta)O3晶體結構:立方:a=3.868?生長方法:提拉法密度:6.74g/cm3熔點:1840℃硬度:6.5Mohs熱膨脹系數:10×10-6/K介電常數:~22顏色及外觀:根據退火狀況由無色到淺棕色,無孿晶及可見疇產品規格:常規尺寸:10x5x0.5mm、10x10x0.5mm、dia2″x0.5mm;基底常規晶向:<100>、<110>、<111>、晶向公差:+/-0.5度表面粗糙度Ra:<5A注:可按照客戶要求加工尺寸及方向。標準包裝:1000級超凈室100級超凈袋或單片盒裝相關產品:LSATLaAlO3MgONdCaAlO4NdGaO3SrTiO3SrLaAlO4SrLaGaO4YSZ

      鈦酸鍶(SrTiO3)雙晶基片

      鈦酸鍶(SrTiO3)雙晶基片

      • 品牌: 合肥科晶
      • 型號: Sr-TiO3
      • 產地:
      • 供應商:合肥科晶材料技術有限公司

        產品名稱:鈦酸鍶(SrTiO3)雙晶基片產品簡介:公司為中國唯一可以批量制作雙晶產品的單位。可提供SrTiO3, LaAlO3, LSAT雙晶基片,用于超導SQUID器件,廣泛用于心磁,共振等領域。技術參數:晶體結構立方晶格常數a=3.905?生長方法火焰法熔點2080℃密度5.175g/cm3莫氏硬度6 Mohs熱膨脹系數9.4×10-6/℃介電常數~ 300損耗正切~5x10-4@ 300K , ~3 x10-4@77K顏色及外觀透明(根據退火狀態有時有輕微的棕色)無孿晶化學穩定性不溶于水產品規格:角度:10度,24度,36度等尺寸: 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm, 5x5x0.5mm單拋,Ra<5A注:可根據客戶需求定制相應的尺寸和方向標準包裝:1000級超凈室,100級超凈袋或單片盒封裝相關產品:Thin Films A-ZCrystal wafer A-Z等離子清洗機基片包裝盒系列切割機薄膜制備設備

      鋁酸鑭(LaAlO3)晶體基片

      鋁酸鑭(LaAlO3)晶體基片

      • 品牌: 合肥科晶
      • 型號: LaAlO3
      • 產地:
      • 供應商:合肥科晶材料技術有限公司

        產品名稱:鋁酸鑭(LaAlO3)晶體基片產品簡介:LaAlO3晶體對多種鈣鈦礦結構材料晶格匹配好,是外延生長高溫超導薄膜和巨磁阻薄膜極好的襯底材料,其介電性能適合于低損耗微波及介電共振方面的應用。科晶公司是世界上現有鋁酸鑭單晶最大的生長廠家,每月能生產10~20公斤,可以提供棒、切割毛坯片及外延拋光基片,能滿足全球市場上的各種需求。技術參數:晶向:<100>、<110>、<111>、晶體結構:贗立方晶格常數:a=3.792?生長方法:提拉法熔點:2080℃密度:6.52g/cm3莫氏硬度:6.5Mohs熱膨脹系數:10×10-6/℃介電常數:25損耗正切(10GHz):~3×10-4@300K,~0.6×10-4@77K顏色及外觀:依退火狀況而不同,由棕黃色到褐色,拋光基片有自然孿晶疇。化學穩定性:室溫下不溶于礦物酸,溫度大于150℃時可溶于H3PO4產品規格:常規尺寸:5x5x0.5mm、10x10x0.5mm、dia1″x0.5mm、dia2″x0.5mm;常規晶向:<100>、<110>、<111>、晶向公差:+/-0.5度拋光情況:單拋或雙拋(<110> Ra<15A,<100>和<111> Ra<5A)注:可按照客戶要求加工尺寸及方向。標準包裝:1000級超凈室100級超凈袋或單片盒裝相關產品:LSATLaAlO3GGGNdCaAlO4YSZSrTiO3SrLaAlO4NdGaO3Crystal A-Z基片包裝盒系列RTP快速退火爐旋轉涂層機

      鋁酸釹鈣(NdCaAlO4)晶體基片

      鋁酸釹鈣(NdCaAlO4)晶體基片

      • 品牌: 合肥科晶
      • 型號: NdCaAlO4
      • 產地:
      • 供應商:合肥科晶材料技術有限公司

        產品名稱:鋁酸釹鈣(NdCaAlO4)晶體基片產品簡介:技術參數:晶體結構:四方晶格常數:a=3.685c=12.12生長方法:提拉法熔點:1850℃密度:5.56g/cm3莫氏硬度Mohs熱膨脹系數12×10-6/℃介電常數19.5產品規格:常規尺寸:10x10x0.5mm、5x5x0.5mm;常規晶向:<001>晶向公差:+/-0.5度拋光情況:單拋或雙拋表面粗糙度Ra<5A注:可按照客戶要求加工尺寸及方向。標準包裝:1000級超凈室100級超凈袋或單片盒裝相關產品:LSATLaAlO3MgO薄膜制備設備NdCaAlO4NdGaO3SrTiO3基片包裝盒系列SrLaAlO4SrLaGaO4YSZ等離子清洗機

      氧化鎂(MgO)

      氧化鎂(MgO)

      • 品牌: 合肥科晶
      • 型號: MgO
      • 產地:
      • 供應商:合肥科晶材料技術有限公司

        產品名稱:氧化鎂(MgO)晶體基片產品簡介:氧化鎂(MgO)是極好的單晶基片而廣泛應用于制作鐵電薄膜、磁學薄膜、光電薄膜和高溫超導薄膜等,由于它在微波波段的介電常數和損耗都很小,且能得到大面積的基片(直徑2英及更大),所以是當前產業化的重要高溫超導薄膜單晶基片之一。可用于制作移動通訊設備所需的高溫超導微波濾波器等器件。科晶公司用一種特殊的電弧法生長出高純度的尺寸約2”x2”x1”的低成本的MgO單晶,采用化學機械拋光制備出高質量原子級表面的基片。技術參數:晶體結構立方晶格常數a=4.216?生長方法電弧法熔點2850℃密度3.58g/cm3莫氏硬度5.5Mohs熱膨脹系數12.8×10-6/℃介電常數9.8光學透過>90%@200~400nm>98%500~1000nm晶體解理面<100>產品規格:常規尺寸:10x10x0.5mm、5x5x0.5mm、dia1″x0.5mm、dia2″x0.5mm;常規晶向:<100>、<110>、<111>、晶向公差:+/-0.5度拋光情況:單拋或雙拋(<111> Ra<15A,<100>和<110> Ra<5A)注:可按照客戶要求加工尺寸及方向。標準包裝:1000級超凈室100級超凈袋或單片盒裝相關產品:LSATLaAlO3MgONdCaAlO4NdGaO3SrTiO3SrLaAlO4SrLaGaO4YSZ

      鋁酸鍶鑭(LaSrAlO4)晶體基片

      鋁酸鍶鑭(LaSrAlO4)晶體基片

      • 品牌: 合肥科晶
      • 型號: LaSrAlO4
      • 產地:
      • 供應商:合肥科晶材料技術有限公司

        產品名稱:鋁酸鍶鑭(LaSrAlO4)晶體基片產品簡介:鋁酸鍶鑭晶體從熔點溫度直至低溫下均無孿晶及相變,與高溫超導體YBCO具有相同的結構,<001>面與其它襯底相比與YBCO<001>具有適中的晶格失配(2.5~3.5%),同時該晶體的熱膨脹系數比其它鈣鈦礦結構的晶體低,可以在較低的溫度下沉積薄膜從而改善晶格失配及減少應力。技術參數:晶體結構四方晶胞參數?a=3.756 c=12.636熔點℃1650密度g/cm35.92介電常數16.8生長方法提拉法產品規格:常規晶向:<001>, <100> 公差:+/-0.5度常規尺寸:10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm拋光情況:單拋或雙拋,Ra<5A可按客戶要求定制方向和尺寸。標準包裝:1000級超凈室100級超凈袋包裝相關產品:OtherSrLaAlO4LaAlO3MgOLSAT基片包裝盒系列NdCaAlO4NdGaO3SrTiO3YSZ旋轉涂層機

      鎵酸釹(NdGaO3)晶體基片

      鎵酸釹(NdGaO3)晶體基片

      • 品牌: 合肥科晶
      • 型號: NdGaO3
      • 產地:
      • 供應商:合肥科晶材料技術有限公司

        產品名稱:鎵酸釹(NdGaO3)晶體基片產品簡介:NdGaO3是近十年中發展起來的新型基片,主要用作高溫超導體(如YBCO)及磁性材料的外延薄膜生長用基片。由于NdGaO3與YBCO的晶格失配很小(~0.27%),且無結構相變,在NdGaO3基片上可外延生長質量良好的薄膜。技術參數:晶體結構正交晶體參數?a=5.43, b=5.50, c=7.71熔點℃1600密度g/cm37.57介電常數25生長方法提拉法產品規格:<001>, <110>, <100>公差:+/-0.5度10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm,5x3x0.5mm單拋,Ra<5A注:也可根據客戶需求定制相應的尺寸和大小標準包裝:1000級超凈室,100級超凈袋封裝相關產品:LSATLaAlO3MgONdCaAlO4NdGaO3SrTiO3SrLaAlO4SrLaGaO4YSZ

      鉭酸鉀(KTaO3)晶體基片

      鉭酸鉀(KTaO3)晶體基片

      • 品牌: 合肥科晶
      • 型號: KTaO3
      • 產地:
      • 供應商:合肥科晶材料技術有限公司

        產品名稱:鉭酸鉀(KTaO3)晶體基片技術參數:分子量268.04晶體結構立方,鈣鈦礦晶格常數a=3.989?生長方法頂部籽晶熔融法熔點~1500℃密度7.015g/cm3莫氏硬度6Mohs熱導率0.17 w/m.k@ 300k折射率2.14產品規格:常規晶向:<100>, <110>, <111>公差:+/-0.5度常規尺寸:10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm拋光情況:單拋或雙拋,Ra<5A注:可按客戶需求定制相應的方向和尺寸。標準包裝:1000級超凈室,100級超凈袋封裝相關產品:LaAlO3MgOYSZSrLaAlO4切割機RTP快速退火爐基片包裝盒系列旋轉涂層機

      鈦酸鍶 (SrTiO3)單晶基片

      鈦酸鍶 (SrTiO3)單晶基片

      • 品牌: 合肥科晶
      • 型號: SrTiO3
      • 產地:
      • 供應商:合肥科晶材料技術有限公司

        產品型號:SrTiO3鈦酸鍶單晶基片產品簡介:SrTiO3單晶與多種鈣鈦礦結構材料晶格匹配好,它是高溫超導薄膜和多種氧化物薄膜優質的襯底材料,同時還廣泛應用于特殊光學窗口及高質量的濺射靶材。科晶公司擁有獨立全套生產線,從高質量SrTiO3粉末,SrTiO3單晶到多種尺寸外延拋光基片,可為全球提供高質量低價位的SrTiO3單晶及基片。技術參數:晶體結構立方晶格常數a=3.905?生長方法火焰法熔點2080℃密度5.175g/cm3莫氏硬度6 Mohs熱膨脹系數9.4×10-6/℃介電常數~ 300損耗正切~5x10-4@ 300K , ~3 x10-4@77K顏色及外觀透明(根據退火狀態有時有輕微的棕色)無孿晶化學穩定性不溶于水產品規格:<100>, <110>, <111>公差:+/-0.5度dia30x0.5mm, 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm,5x5x0.5mm單拋或雙拋,Ra<5A;可按客戶要求定制方向和尺寸。標準包裝:等離子清洗器專業清洗(詳情請點擊),1000級超凈室,100級超凈袋封裝,相關產品:SrTiO3LSATLaAlO3MgO旋轉涂層機SrLaAlO4NdCaAlO4SrTiO3YSZ基片包裝盒系列

      氧化鋯(YSZ)晶體基片

      氧化鋯(YSZ)晶體基片

      • 品牌: 合肥科晶
      • 型號: 氧化鋯(YSZ)晶體基片
      • 產地:
      • 供應商:合肥科晶材料技術有限公司

        產品名稱:氧化鋯(YSZ)晶體基片產品簡介:氧化鋯(ZrO2)由于ZrO2單晶需摻入釔(Y)以穩定其結構, 一般實際使用的是YSZ單晶――加入釔穩定劑的氧化鋯單晶。它機械、化學穩定性好,價格較低因而得以廣泛應用。技術參數:化學分子式(Zr,Y)O2with Zr : Y = 91:9晶體結構立方晶格常數a = 5.125 ?密度5.8 g / cm3純度99.99%熔點2800oC熱膨脹系數10.3x10-6/oC介電常數27晶體生長方法弧熔法產品規格:<100>, <110>, <111>公差:+/-0.5度dia2"x0.5mm, 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm單拋或雙拋,Ra<5A注:可按客戶需求定制相應的方向和尺寸。標準包裝:1000級超凈室,100級超凈袋或單片盒封裝相關產品:A-Z系列晶體列表清洗機基片包裝盒系列劃片機旋轉涂層機

      Si+SiO2薄膜

      Si+SiO2薄膜

      • 品牌: 合肥科晶
      • 型號: Si+SiO2薄膜
      • 產地:
      • 供應商:合肥科晶材料技術有限公司

        產品名稱:Si+SiO2薄膜產品簡介:技術參數:常規晶向:<100>,<111>,摻雜類型:N型摻雜或者P型摻雜制作方法:干法或濕法薄膜厚度:常規厚度300nmSiO2常規尺寸:dia4"x0.5mm;dia2"x0.5mm;單面氧化或者雙面氧化可按照客戶要求加工氧化層厚度:50nm~1um標準包裝:1000級超凈室100級超凈袋單片盒或25片插盒封裝

      Si+SiO2+Ti+Pt (國產料)

      Si+SiO2+Ti+Pt (國產料)

      • 品牌: 合肥科晶
      • 型號: Si+SiO2+Ti+Pt (國產料)
      • 產地:
      • 供應商:合肥科晶材料技術有限公司

        產品名稱:Si+SiO2+Ti+Pt薄膜(國產料)產品簡介:薄膜厚度:SiO2=500nmTi=50nmPt=200nm;P型摻B電阻率:<0.005ohm.cm常規尺寸:dia4"x0.5mm;10x10x0.5mm;單拋可按照客戶要求加工尺寸標準包裝:1000級超凈室100級超凈袋單片盒或25片插盒封裝

      硅(Si)晶體基片

      硅(Si)晶體基片

      • 品牌: 合肥科晶
      • 型號: 硅(Si)晶體基片
      • 產地:
      • 供應商:合肥科晶材料技術有限公司

        產品名稱:硅(Si)晶體基片產品簡介:化學符號為Si,主要用途有:制作半導體器件、紅外光學器件及太陽能電池襯底等材料。技術參數:摻雜物質:摻B摻P類型:PN電阻率Ω.cm:10-3~4010-3~40EPD(cm-2):≤100≤100氧含量(/cm3):≤1.8x1018≤1.8x1018碳含量(/cm3):≤5x1016≤5x1016常規規格:晶體方向:<111>、<100>、<110>±0.5°或特殊的方向;常規尺寸:dia1"x0.30mm;dia2"x0.5mm;dia3"x0.5mm;dia4"x0.6mm;表面粗糙度:Ra<10A可提供熱氧化SiO2層的Si片;Si+SiO2+Ti+Pt的基片!歡迎您的咨詢!標準包裝:1000級超凈室100級超凈袋單片盒或25片插盒封裝相關產品:A-Z系列晶體列表清洗機基片包裝盒系列劃片機旋轉涂層機

      砷化鎵(GaAs)晶體基片

      砷化鎵(GaAs)晶體基片

      • 品牌: 合肥科晶
      • 型號: 砷化鎵(GaAs)
      • 產地:
      • 供應商:合肥科晶材料技術有限公司

        產品名稱:砷化鎵(GaAs)晶體基片產品簡介:技術參數:單晶:砷化鎵(GaAs)摻雜:None;Si;Cr;Te;Zn導電類型:Si;N;Si;N;P載流子濃度cm-3:/>5x1017/~2x1018>5x1018位錯密度cm-2:<5x105生長方法及最大尺寸:LEC&HB?3"常規尺寸:常規晶向:<100>、常規尺寸:10x10x0.5mm;dia2″x0.5mm;拋光情況:單拋或雙拋;表面粗糙度Ra:<15A;注:可按客戶需求定制相應的方向和尺寸。備注:1000級超凈室100級超凈袋相關產品:OtherGaAsInSbInPInAsGaSb基片包裝盒系列薄膜制備設備RTP快速退火爐

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